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       通?？蛻?hù)在用ATE測(cè)試座做IC測(cè)試的時(shí)候，經(jīng)常有反饋測(cè)試不穩(wěn)定的問(wèn)題。有的是測(cè)試項(xiàng)單獨(dú)測(cè)pass，整個(gè)flow跑就會(huì)不穩(wěn)定。有的是調(diào)試時(shí)單步執(zhí)行pass，測(cè)試項(xiàng)整體跑就fail。有的是手測(cè)pass，量產(chǎn)一跑就fail。這種不穩(wěn)定的問(wèn)題，往往是最令人頭疼的，但其實(shí)只要仔細(xì)分析，最終還是能夠找到解決方案的。

      歸根結(jié)底，單獨(dú)測(cè)pass，整個(gè)flow連著跑就不穩(wěn)定，主要是由于前面的測(cè)試項(xiàng)的狀態(tài)影響了當(dāng)前測(cè)試項(xiàng)的狀態(tài)。

      量產(chǎn)不穩(wěn)定

      根據(jù)我個(gè)人的經(jīng)驗(yàn)，量產(chǎn)不穩(wěn)定主要發(fā)生在paramatric test的時(shí)候。比如DC的電壓、電流值，或者ADC/DAC的SNR, INL, DNL，或者PLL的frequency等等。

      當(dāng)Hander或者Prober跑起來(lái)的時(shí)候，每次socket或者probe needle與DUT接觸的狀況不一樣，導(dǎo)致paramatric測(cè)試fail。當(dāng)清洗socket或者按時(shí)清針不能解決問(wèn)題的時(shí)候，我們需要把程序的margin調(diào)得更大一些。通常CP測(cè)試比FT更容易出現(xiàn)parameter test的不穩(wěn)定。因?yàn)镃P測(cè)試整個(gè)docking的結(jié)構(gòu)比FT測(cè)試更加復(fù)雜。

       還有一種，是由于不恰當(dāng)?shù)膖est flow導(dǎo)致的問(wèn)題。

       因?yàn)锳TE測(cè)試和EVB上的測(cè)試其實(shí)是不同的。EVB上面的測(cè)試是功能測(cè)試，整顆芯片需要boot起來(lái)，所有的模塊都會(huì)工作起來(lái)，而且所有的電源基本同時(shí)處于Vmax, Vmin或者Vtyp的狀態(tài)。

       而ATE測(cè)試，基本是模塊化的，比如在測(cè)試ADC的時(shí)候，OTP部分的電源可以不上電，測(cè)試數(shù)字部分的scan時(shí)，ADC部分可以不上電等等。即使所有的電源都上電了，但是也可以某些模塊的電源處于Vmax，某些處于Vtyp。所以當(dāng)我們r(jià)eview整個(gè)test flow，并觀(guān)察所有的電源pin的上電情況時(shí)，很有可能是每個(gè)測(cè)試項(xiàng)都不同的。

       測(cè)試不穩(wěn)定這種事，真的是很難一言以蔽之，只能具體問(wèn)題具體分析。在此只是給大家提供了一些思路，有很多我沒(méi)接觸過(guò)的情況，沒(méi)想到的問(wèn)題，希望大家不吝賜教。

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